G30N60

MOSFET IGBT A CANAL-N 60 VOLTS   Sur semi-conducteur FGH30S130P est un IGBT 1300V, 30A avec des technologies de tranchée à anode court-circuitée et d'arrêt de champ. Les applications à commutation douce sont idéales pour le FGH30S130P, avec une conduction efficace et des performances de commutation élevées. G30N60 peut fonctionner en configuration parallèle et offre de grandes capacités d'avalanche.G30N60 est conçu pour être utilisé dans le chauffage par induction, les fours à micro-ondes et autres appareils électroménagers.

Principales caractéristiques Type de produit : MOSFET IGBT A CANAL Modèle : G30N60 Courant continu de Collecteur maximum 60 A Tension Collecteur Emetteur maximum 1300 V Tension Grille Emetteur maximum ± 25V Dissipation de puissance maximum 500 W Type de boîtier A-247 Type de montage Traversant Type de canal N Nombre de broches 3 Configuration du transistor Simple Dimensions 15,87 x 4,82 x 20,82 mm Température d'utilisation maximum +175 ° C Température de fonctionnement minimum Descriptif techniqueSKU: GE070EA13X5ATNAFAMZModèle: MOSFET IGBT A CANAL-N 60 VOLTSPoids (kg): 0.2Couleur: Noir