K2611
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Transistor N-MOSFET - 11 A - 900 VOLTS Cette technologie avancée a été spécialement conçue pour minimiser la résistance à l'état passant, fournir des performances de commutation supérieures et résister aux impulsions à haute énergie en mode avalanche et commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés aux alimentations à découpage à haut rendement.
Principales caractéristiques Type de produit : Transistor N-MOSFET Tension maximale de drain-source: 900V Tension maximum de porte-source: + 30V Courant de vidange continu maximum, VGS @ 10 V, TC = 25 deg C: 11A Descriptif techniqueSKU: GE070EA0S0H79NAFAMZModèle: Transistor N-MOSFET - 11 A - 900 VOLTS Poids (kg): 0.2Couleur: Noir
Principales caractéristiques Type de produit : Transistor N-MOSFET Tension maximale de drain-source: 900V Tension maximum de porte-source: + 30V Courant de vidange continu maximum, VGS @ 10 V, TC = 25 deg C: 11A Descriptif techniqueSKU: GE070EA0S0H79NAFAMZModèle: Transistor N-MOSFET - 11 A - 900 VOLTS Poids (kg): 0.2Couleur: Noir
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